|
|
|
نام اصل متن :
Nanoscale
BixTe3/Sb2Te3 multilayer thin .lm materials for reduced thermal
conductivity |
|
نام ترجمه به فارسي :
مواد
غشايي نازك چندلايه BixTe3/Sb2Te3 نانومقياس براي رسانايي گرمايي كاهش
يافته |
|
كد
ترجمه :
PHY14
تعداد صفحه انگليسي:
4
تعداد صفحه فارسي:
12 سال:
2006 |
|
منبع :
اينترنت -
مقاله كامل -
مركز تابش مواد ، دانشگاه آلباما - الزوير |
|
قيمت : 60000 ريال |
مواد غشايي
نازك چندلايه BixTe3/Sb2Te3
نانومقياس براي رسانايي گرمايي كاهش يافته
خلاصه
غشاهاي نازك چندلايه با استفاده از تبخير آنتيموان جامد (III) تلورايد
و بيسموت (III) تلورايد بعنوان مواد ترموالكتريك (TE) بصورت ترتيبي رشد
داده شد. غشاهاي چندلايه رشد داده شده داراي ساختار متناوب متشكل از
يازده يا سي و نه لايهغشاء نازك جايگزين ميباشند، ضمن آنكه ضخامت هر
لايه نيز nm10 است. آناليز طيف سنج پراكنش عقبي رادرفورد (RBS) نشان
ميدهد كه لايههاي تلورايد آنتيموان تهنشين يا تركيب شده داراي
استوكيومتري مورد نظر Sb2Te3 بوده و لايههاي تلورايد بيسموت بصورت
Bi1.1Te3.0 ميباشند. براي اندازهگيري رسانايي گرمايي غشاهاي نازك
چندلايه از سيستم اندازهگيري رسانايي گرمايي -- استفاده شد. همچنين
به منظور ارتقاي رسانايي گرمايي غشاهاي نازك چندلايه، كاشت يون 5 MeV
Si در دستور كار قرار گرفت. ادوات ترموالكتريك نيز ساخته شدند تا با
استفاده از آنها براي اندازهگيري ولتاژ ترموالكتريك سطح متقاطع يا
رندهاي و تعيين ضريب سيبك با استفاده از غشاهاي نازك چندلايه اقدام
شود. علاوه براين ، در اين تحقيق مشخص گرديد كه مواد غشاينازك چندلايه
نانوساختار از رسانايي دمايي كمتري در مقايسه با مواد حجيم متعارف
بهرهمند ميباشند و همچنين كاشت يون Si ميتواند رسانايي دمايي
غشاهاي نازك چندلايه را كاهش دهد...
كلمات كليدي: چندلايه، كاشت يون Si با انرژي بالا، تلورايد آنتيموان،
تلورايد بيسموت، طيف سنج پراكنش عقبي (بكاسكترينگ) رادرفورد، سيستم
اندازهگيري رسانايي گرمايي بروش-- ، ضريب سيبك ، رسانايي دمايي
مقدمه
در اين مقاله، ما
رشد نانومقياس غشاهاي نازك چندلايه
BixTe3/Sb2Te3 ،
با استفاده از تبخير تلورايد آنتيموان جامد و تلورايد بيسموت بعنوان
مواد ترموالكتريك (TE)، را گزارش نمودهايم. مواد ترموالكتريكي براي
كاربردهاي توليد نيروي ترموالكتريك و خنكسازي ميكروالكتريك مفيد
ميباشند. تاثير ترموالكتريك در حقيقت ظهور يك ميدان الكتريكي همراه با
يك گراديان دمايي بكار گرفته شده در يك ماده ميباشد، ...
- جزئيات مربوط به آزمايش
سيستم رسوبي
CIM-AAMU
تبخيركنندههاي دو تفنگي الكتروني براي تبخير مواد جامد به منظور رشد
غشاهاي نازك چند لايه در سطوح لايههاي زيرين مورد استفاده قرار
گرفت...
نتايج و مباحث
لايههاي نازك
تلورايد آنتيموان و تلورايد بيسموت بر روي زيرلايههاي سيليكون براي
آناليز طيف سنجي بكاسكترينگ رادرفورد (RBS)
رشد داده شد...
غشاي نازك چند
لايه كه از 39 لايه بهرهمند است ، بوسيله يونهاي
Si 5MeV بمباران
شده تا آنكه رسانايي گرمايي بهبود يابد...
خلاصه
غشاهاي نازك
چندلايه
BixTe3/Sb2Te3 بوسيله تبخير تلورايد آنتيموان جامد و تلورايد بيسموت
رشد داده شد. لايههاي تلورايد آنتيموان رشد داده شده داراي
استوكيومتري Sb2Te3 و لايههاي تلورايد بيسموت Bi1.1Te3.0 بودند.
ادوات ترموالكتريك با استفاده از غشاهاي چندلايه ساخته شده و ضريب سيبك
و رسانايي گرمايي غشاهاي نازك چندلايه اندازهگيري شد...
|
