www.irantarjomeh.com

                    

 

 
 

پوشش رسوبي  ابرشبكه‌هاي نيمه رسانا براي كاربردهاي ترموالكتريك - Sputter Deposition of Semiconductor Superlattices for Thermoelectric Applications

 نام اصل متن :  Sputter Deposition of Semiconductor Superlattices for Thermoelectric Applications

 نام ترجمه به فارسي : پوشش رسوبي ابرشبكه‌هاي نيمه رسانا براي كاربردهاي ترموالكتريك

 كد ترجمه :  PHY13     تعداد صفحه انگليسي:  9     تعداد صفحه فارسي:   20     سال: 1996

  منبع : اينترنت - مقاله كامل
  قيمت : 70000 ريال


پوشش رسوبي ابرشبكه‌هاي نيمه رسانا براي كاربردهاي ترموالكتريك

خلاصه
پيشرفتهاي شديد تئوريكي خصيصه‌هاي ترموالكتريك مواد در خلال ساليان اخير با استفاده از تحديد كوانتوم در نانوساختارهاي نيمه رساناي جديد منجر به بوجود آمدن موارد قابل ملاحظه در جامعه ترموالكتريك گرديده است. بنابراين ، ما نسبت به بررسي مسائل مواد حياتي براي ساخت ساختارهاي تحديد شده كوانتوم با استفاده از پوشش ماگنترون‌در خانواده‌هاي مواد تلورايد سرب و تلورايد بيسموت اقدام كرده‌ايم. همچنين ما نسبت به سنتز يا ساخت ساختارهاي مادوله‌اي از مواد ترموالكتريك كه داراي نقاط دولايه به كوچكي 3.2nm مي‌باشند اقدام نموده و نشان داده‌ايم كه آنها در دماهاي رسوبي بالا براي رشد لايه‌هاي با كيفيت داراي ثبات يا استقامت مي‌باشند. موارد حياتي در خصوص رشد لايه با كيفيت نظير هسته‌گذاري و شرايط رشد و تأثيرات آنها در مسير كريستال و رشد ريخت‌شناسي مورد بررسي قرار گرفته است. اين بررسي‌ها نشان داده است كه هسته‌گذاري لايه در دماي زير دماي رشد خصيصه‌هاي الكتريكي بهينه باعث توليد لايه‌هاي با كيفيت بالا مي‌شود. كار ما در خصوص پوشش رسوبي ، كه به صورت ذاتي يك فرآيند رسوب‌گذاري با درجه بالا مي‌باشد ، منجر به ساخت يك پايه و اساس تكنولوژيكي مورد نياز جهت توسعه توليد اقتصادي اين مواد پيشرفته گرديده است. نرخ بالاي رسوب‌گذاري حياتي مي‌باشد چرا كه حتي با وجود برقراري كارايي قابل مقايسه با سيستمهاي خنك‌سازي بر اساس CFC ، ميزان زيادي از مواد تحديد يافته كوانتومي براي
 بوجود آوردن شرايط قابل قبول محصولات از نظر هزينه لازم مي‌باشد...

مقدمه

تأثير ترموالكتريك با استفاده از حاملان بار (شارژ) از انرژي گرمايي انتقالي استفاده نموده تا بدين وسيله نسبت به ساخت سيستم خنك كننده حالت جامد با جريان الكتريكي اقدام نموده...

رويه تجربي

ما كليه لايه‌ها را براي انجام اين آزمايشات با استفاده از پوشش ماگنترون‌ بوجود آورديم. سيستم پوشش به صورت برودتي پمپ شده و بهترين فشار در حدود...

سپرهايي نيز اطراف تفنگها قرار مي‌گيرند تا از بروز آلودگي جانبي بين منابع پراش جلوگيري شود. اين سپرها گرم شده تا يك جداره گرم محيطي را در اطراف ناحيه روسوبي فراهم آورند...

نتايج

اين بخش نتايج بدست آمده از بررسي‌هاي به عمل آمده بر روي دو خانواده تك لايه‌اي و چند لايه‌اي مواد ترموالكتريك را مورد مطالعه قرار مي‌دهد. غشاهاي با كيفيت تك‌لايه را مي‌بايست مورد تجزيه و تركيب قرار داد...

كنترل رشد ريخت‌شناسي براي غشاهاي تك‌لايه

ريخت‌شناسي رشد غشاي تك لايه در رشد متوالي دو جزء غشاهاي چندلايه حياتي مي‌باشد...

خصيصه‌هاي الكتريكي

دوپينگ يكي از موارد مهم براي عملكرد الكتريكي در مواد ترموالكتريك نيمه رسانا مي‌باشد. براي هر دوي اين مواد Te تمايل به تبخير مجدد از سطح به هنگام رشد داشته بنابر اين تأمين نيروي اضافي Te براي سطح رشد در تحصيل استوكيومتري مهم مي‌باشد...

سيستم‌هاي چندلايه

با دستيابي به سطح رشد مورد نظر در غشاهاي PbTe تك لايه، تلاشي براي رشد غشاهاي چندلايه...

شرايط رشد لايه‌هاي نازك ترموالكتريك ... بوسيله پوشش ماكنترون‌ مورد بهينه‌سازي قرار گرفته است. بوسيله هسته‌گذاري لايه در دماي زير دماي رشد، لايه‌هاي كاملا جهت‌دار متناسب بر BaF2 و ميكا رشد داده شد. ساختارهايي كه داراي بعدهاي مناسب براي تحديد كوانتوم مي‌باشند از مواد ترموالكتريك با استفاده از پوشش ساخته شده‌اند...

 

 

براي سفارش ترجمه اين قسمت را كليك نمائيد