فرآيند مجتمع سازي يونيزاسيون ضربهاي ادوات نيمه رساناي- اكسيد- فلز
با تونل زني ترانزيستورهاي- اثر- ميداني (اف اي تي) و نيمه رساناهاي-
اكسيد- فلز ترانزيستورهاي اثر ميداني
اين مقاله فرآيند مجتمع سازي يونيزاسيون ضربهاي ادوات نيمه رساناي -
اكسيد- فلز (I-MOS)،
ترانزيستورهاي اثر ميداني تونل زني (TFETs) و ترانزيستورهاي اثر ميداني
نيمه رساناي- اكسيد- فلز (MOSFETs) را مورد بررسي قرار ميدهد. بر اين
مبنا، ادوات nm IMOS -70 ، TFETs و سيليكون - بر- عايق كاملاً تهي شده
MOSFETs (FD-SOI) بطور موفقيت آميزي ساخته شدند. با اين وجود،
بواسطه عدم وجود فوتوماسكها يا پوششهاي نوري، در اين تحقيق MOSFETها
بر روي ويفرهاي مجزايي ساخته شدند. ادوات I-MOS داراي ارزش نوسان
زيرآستانهاي كوچك 7.3Mv/dec ميباشند. با وجود آنكه TFETs نشان دهنده
عمليات ترانزيستور معمولي ميباشند، هنوز فضاي كافي براي ارتقاي قابليت
راهاندازي جريان و مقدار نوسان زيرآستانهاي وجود دارد. خصيصههاي
انتقال MOSFETها مشابه با موارد SOI MOSFETs بيان شده در مقالههاي
مربوطه ميباشند. فرآيند مجتمع سازي نشان دهنده امكانسنجي كاشت يا
قرار دادن عامليتهاي مختلف بر روي يك چيپ ميباشد.
كلمات
كليدي: مجتمع سازي، فرآيند،
I-MOS ، TFET، MOSFET
اخيراً
برخي از مطالعات بر روي ادوات تحقيقات نوظهور توجه زيادي را به خود جلب
نمودهاند تا بدين وسيله نقشه راه براي ترانزيستورهاي اثر ميداني نيمه
– رساناي- اكسيد- فلز سيليكون (MOS-FETs)
گسترش يابد. در بين آنها، اين مقوله بر روي يونيزاسيون- ضربهاي ادوات
MOS (I-MOS) و FETهاي تونل زني (TFETs) متمركز ميباشد. ساختار پايه
ادوات I-MOS ديود p-i-n گيت شده ميباشد كه اصول عملياتي آن مدولاسيون
ولتاژ فروپاشي بهمني جهت كنترل جريان خروجي ميباشد...
