مدارهاي ترانزيستور لايه- نازك سريع برمبناي نيمه رسانايي اكسيد
بيريخت
چكيده
اسيلاتورهاي حلقهاي پنج مرحلهاي (ROs)
تشكيل شده از كانال بيريخت In/Ga/Zn/O (a-IGZO) ترانزيستورهاي
لايه- نازك (TFTs) با طول كانال 10 ميكرومتر بر روي يك زيرلايه شيشهاي
ساخته شد. لايه a-IGZO بوسيله روش الكترون پاشي مگنترون RF بر روي زير
لايه گرم نشده ته نشست گرديد. RO داراي عملكرد410 كيلوهرتز (تاخير
انتشار 0.24 ميكروثانيه/مرحله) و يك ولتاژ +18 V ميباشد. اين نمونه
سريعترين مدار مجتمع بر مبناي اكسيد - نيمه رسانا كانال TFTs بشمار
ميآيد كه با استفاده از سيليكون بيريخت هيدروژنيزه متعارف TFTs و
TFTs ارگانيك، از عملكردي سريعتري در مقايسه با ROs برخوردار ميباشد.
كلمات كليدي:
نيمه رساناهاي بيريخت، نيمه رساناهاي اكسيد، اسيلاتورهاي رينگ،
الكترون پاشي، ترانزيستورهاي لايهاي- نازك (TFTs).
نيمه رساناهاي اكسيد بيريخت اخيراً بعنوان كانديداهاي مناسب جهت مواد
كانال ترانزيستورهاي لايه – نازك دماي پايين با عملكرد بالا (TFTs)
مطرح ميباشند. مواد بيريخت داراي مزيت ذاتي از نقطه نظر يكنواختي
بهتر در مقايسه با مواد پليكريستالين يا چندبلورين ميباشند...
